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STD12NF06LT4

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  • 场效应管 MOSFET N 每卷2500
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 12A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS(上): 80mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 30W
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: STD12NF06L
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 封装类型, 其它: D-PAK
  • 带子宽度: 16mm
  • 每卷数量: 2500
  • 漏极电流, Id 最大值: 12A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 60V
  • 电压, Vgs 最高: 2V
  • 电流, Idm 脉冲: 48A
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2V

产地: SG Singapore


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晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

 

 

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