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STN1HNK60

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数据列表 STx1(H)NK60(-1,R)
产品相片 SOT223-3L
其它有关文件 STN1HNK60 View All Specifications
标准包装   4,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperMESH™
包装   带卷 (TR)  
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 400mA (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 156pF @ 25V
功率 - 最大值 3.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
产品目录页面 1543 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-4668-2


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晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

 

 

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