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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR464DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR464DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR464DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7848BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7848BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7848BDP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7848BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7848BDP-T1-E3CT-ND
别名:SI7848BDP-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7421DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7421DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7421DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 400V WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.5A Through Hole WOG
型号:
W04G-E4/51
仓库库存编号:
W04G-E4/51GI-ND
别名:W04G-E4/1
W04G-E4/1-ND
W04G-E4/1GI
W04G-E4/1GI-ND
W04G-E4/1TR
W04G-E4/1TR-ND
W04G-E4/51GI
W04GE451
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4154DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4154DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4154DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 5.4W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7336ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7336ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7336ADP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 5.4W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7336ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7336ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7336ADP-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),73.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-08-GE3
仓库库存编号:
SUD50P04-08-GE3CT-ND
别名:SUD50P04-08-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7288DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7288DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7288DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7110DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7110DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7110DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7139DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7139DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7139DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.9A(Tc) 42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9020TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9020PBFCT-ND
别名:*IRFR9020TRPBF
IRFR9020PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS892DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS892DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS443DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS443DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS443DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4401BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4401BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4401BDY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4896DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4896DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4896DY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7615DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7615DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7615DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7850DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7850DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7850DP-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
IRFR9214TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9214TRPBFCT-ND
别名:IRFR9214TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4421DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4421DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4421DY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7460DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7460DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7460DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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型号:
SIR800DP-T1-GE3
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