品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(24)
分立半导体产品
(24)
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (24)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 100A 446W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GB50TP120N
仓库库存编号:
VS-GB50TP120N-ND
别名:VSGB50TP120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 100A 405W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GT50TP120N
仓库库存编号:
VS-GT50TP120N-ND
别名:VSGT50TP120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 650W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GB100TP120N
仓库库存编号:
VS-GB100TP120N-ND
别名:VSGB100TP120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 280A 1147W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB150TH120U
仓库库存编号:
VS-GB150TH120U-ND
别名:VSGB150TH120U
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 500A 1645W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB300LH120N
仓库库存编号:
VS-GB300LH120N-ND
别名:VSGB300LH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 500A 1645W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB300NH120N
仓库库存编号:
VS-GB300NH120N-ND
别名:VSGB300NH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 550A 2841W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB400AH120U
仓库库存编号:
VS-GB400AH120U-ND
别名:VSGB400AH120U
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Trench Half Bridge 600V 160A 417W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GT100TP60N
仓库库存编号:
VS-GT100TP60N-ND
别名:VSGT100TP60N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 910A 3125W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB600AH120N
仓库库存编号:
VS-GB600AH120N-ND
别名:VSGB600AH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 543W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GB75TP120N
仓库库存编号:
VS-GB75TP120N-ND
别名:VSGB75TP120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 800A 2604W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB400TH120N
仓库库存编号:
VS-GB400TH120N-ND
别名:VSGB400TH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 660A 2660W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB400TH120U
仓库库存编号:
VS-GB400TH120U-ND
别名:VSGB400TH120U
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB100NH120N
仓库库存编号:
VS-GB100NH120N-ND
别名:VSGB100NH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB100TH120N
仓库库存编号:
VS-GB100TH120N-ND
别名:VSGB100TH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB100TH120U
仓库库存编号:
VS-GB100TH120U-ND
别名:VSGB100TH120U
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 420A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB200NH120N
仓库库存编号:
VS-GB200NH120N-ND
别名:VSGB200NH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 300A 1008W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB150TH120N
仓库库存编号:
VS-GB150TH120N-ND
别名:VSGB150TH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 620A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB300AH120N
仓库库存编号:
VS-GB300AH120N-ND
别名:VSGB300AH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 360A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB200TH120N
仓库库存编号:
VS-GB200TH120N-ND
别名:VSGB200TH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 330A 1316W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB200TH120U
仓库库存编号:
VS-GB200TH120U-ND
别名:VSGB200TH120U
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
详细描述:IGBT Module Trench Half Bridge 600V 530A 1600W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GT400TH60N
仓库库存编号:
VS-GT400TH60N-ND
别名:VSGT400TH60N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 650A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB400AH120N
仓库库存编号:
VS-GB400AH120N-ND
别名:VSGB400AH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 500A 1645W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB300TH120N
仓库库存编号:
VS-GB300TH120N-ND
别名:VSGB300TH120N
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 530A 2119W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB300TH120U
仓库库存编号:
VS-GB300TH120U-ND
别名:VSGB300TH120U
品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division,规格:电流 - 集电极截止(最大值) 5mA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号