规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1451)
分立半导体产品
(1451)
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (11)
Vishay Siliconix (1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP28N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHP28N65EF-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP350LCPBF
仓库库存编号:
IRFP350LCPBF-ND
别名:*IRFP350LCPBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 313W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP38N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP38N60E-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG35N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG35N60E-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 329W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG40N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG40N60E-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG28N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG28N65EF-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 31.6A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG33N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG33N65EF-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 446W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
SIHS36N50D-E3
仓库库存编号:
SIHS36N50D-E3-ND
别名:SIHS36N50DE3
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450LCPBF
仓库库存编号:
IRFP450LCPBF-ND
别名:*IRFP450LCPBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP21N60LPBF
仓库库存编号:
IRFP21N60LPBF-ND
别名:*IRFP21N60LPBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHG47N60AE-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 357W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N60E-GE3-ND
别名:SIHW47N60E-GE3CT
SIHW47N60E-GE3CT-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 357W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG47N60E-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG70N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG70N60EF-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 520W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW61N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHW61N65EF-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG61N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG61N65EF-GE3-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 87A(Tc) 625W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
SIHS90N65E-E3
仓库库存编号:
SIHS90N65E-E3CT-ND
别名:SIHS90N65E-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS38N60LPBF
仓库库存编号:
IRFPS38N60LPBF-ND
别名:*IRFPS38N60LPBF
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.6W(Ta),2.8W(Tc)
型号:
SI1443EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1443EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1443EDH-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 350mW(Ta)
型号:
2N7002E-T1-GE3
仓库库存编号:
2N7002E-T1-GE3CT-ND
别名:2N7002E-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc)
型号:
SI2366DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2366DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2366DS-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.15A(Ta) 730mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2328DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2328DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2328DS-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 2W(Tc)
型号:
SQ2361ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2361ES-T1_GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.3A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
型号:
SI4048DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4048DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4048DY-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2319DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2319DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2319DS-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
搜索
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号