品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7464DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7464DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7464DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7464DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7464DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7464DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA430DJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA430DJT-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Tc) 8-SOIC
型号:
SI4058DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4058DY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4778DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4778DY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4670DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4670DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4670DY-T1-GE3TR
SI4670DYT1GE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730BPBF
仓库库存编号:
IRF730BPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP6N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHP6N40D-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF6N40D-E3
仓库库存编号:
SIHF6N40D-E3-ND
别名:SIHF6N40DE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP6N40D-E3
仓库库存编号:
SIHP6N40D-E3-ND
别名:SIHP6N40DE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9520STRLPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9520STRRPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBC20GPBF-ND
别名:*IRFIBC20GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC20STRLPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9120
仓库库存编号:
IRFD9120-ND
别名:*IRFD9120
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520
仓库库存编号:
IRF9520-ND
别名:*IRF9520
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC20
仓库库存编号:
IRFBC20-ND
别名:*IRFBC20
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120
仓库库存编号:
IRFR9120-ND
别名:*IRFR9120
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520S
仓库库存编号:
IRF9520S-ND
别名:*IRF9520S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRL
仓库库存编号:
IRF9520STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 320mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFDC20
仓库库存编号:
IRFDC20-ND
别名:*IRFDC20
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC20G
仓库库存编号:
IRFIBC20G-ND
别名:*IRFIBC20G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TR
仓库库存编号:
IRFR9120TR-ND
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MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRL
仓库库存编号:
IRFR9120TRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20
仓库库存编号:
IRFRC20-ND
别名:*IRFRC20
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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