规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(4878)
电路保护
(4050)
分立半导体产品
(828)
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (4059)
Vishay Siliconix (819)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 22VWM 40VC DO218AB
型号:
SM5A27HE3/2D
仓库库存编号:
SM5A27HE3/2DGICT-ND
别名:SM5A27HE3/2DGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 40V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2318AES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2318AES-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.7A(Tc) 2W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2309ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2309ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2309ES-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 2W(Tc) SOT-23(TO-236AB)
型号:
SQ2308CES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2308CES-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2W(Tc) TO-236
型号:
SQ2310ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2310ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2310ES-T1-GE3CT
SQ2310ES-T1-GE3CT-ND
SQ2310ES-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16A
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS401EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS401EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS401EN-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.5A 3.7W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4946BEY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4946BEY-T1-E3CT-ND
别名:SI4946BEY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.5A 3.7W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4946BEY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4946BEY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4946BEY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 2.7W(Ta),46W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19P06-60L-E3
仓库库存编号:
SUD19P06-60L-E3CT-ND
别名:SUD19P06-60L-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4948BEY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4948BEY-T1-E3CT-ND
别名:SI4948BEY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ402EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ402EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ402EP-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4850EY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ488EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ488EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ488EP-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.7W(Ta),62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD15N15-95-E3
仓库库存编号:
SUD15N15-95-E3CT-ND
别名:SUD15N15-95-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD25N15-52-E3
仓库库存编号:
SUD25N15-52-E3CT-ND
别名:SUD25N15-52-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520PBF
仓库库存编号:
IRF520PBF-ND
别名:*IRF520PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 24VWM 38.9VC P600
型号:
5KP24A-E3/54
仓库库存编号:
5KP24A-E3/54GICT-ND
别名:5KP24A-E3/54GICT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD024PBF
仓库库存编号:
IRLD024PBF-ND
别名:*IRLD024PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N08-16-E3
仓库库存编号:
SUD40N08-16-E3CT-ND
别名:SUD40N08-16-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD024PBF
仓库库存编号:
IRFD024PBF-ND
别名:*IRFD024PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P08-25L-E3
仓库库存编号:
SUD50P08-25L-E3CT-ND
别名:SUD50P08-25L-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-09L-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-09L-E3CT-ND
别名:SUD50P04-09L-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N06-09L-E3
仓库库存编号:
SUD50N06-09L-E3CT-ND
别名:SUD50N06-09L-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 30A
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ461EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ461EP-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-15-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-15-E3CT-ND
别名:SUD50P04-15-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号