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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Sfernice
RES SMD 3M OHM 0.1% 1/5W 2010
详细描述:±0.1% 0.2W,1/5W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT2010Y3004BGTB
仓库库存编号:
PHTH-3.0MCT-ND
别名:PHTH-3.0MCT
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 2.2UF 10% 25V 2010
详细描述:保形涂层 钽电容器 2010(5125 公制) 3.5 欧姆
型号:
CWR06KC225KB/PR
仓库库存编号:
1012-1045-1-ND
别名:1012-1045-1
1012-1045-1-MIL
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
含铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 1K OHM 0.1% 1/5W 2010
详细描述:±0.1% 0.2W,1/5W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT2010Y1001BGTB
仓库库存编号:
PHTH-1.0KCT-ND
别名:PHTH-1.0KCT
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 1.0UF 10% 50V 2010
详细描述:保形涂层 钽电容器 2010(5125 公制) 6 欧姆
型号:
CWR06NC105KB/PR
仓库库存编号:
1012-1052-1-ND
别名:1012-1052-1
1012-1052-1-MIL
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
含铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 10 OHM 0.5% 1/5W 2010
详细描述:±0.5% 0.2W,1/5W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT2010E10R0DGTB
仓库库存编号:
PHTG-10CT-ND
别名:PHTG-10CT
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 100 OHM 0.1% 1/5W 2010
详细描述:±0.1% 0.2W,1/5W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT2010Y1000BGTB
仓库库存编号:
PHTH-100CT-ND
别名:PHTH-100CT
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 100K OHM 0.1% 1/5W 2010
详细描述:±0.1% 0.2W,1/5W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT2010Y1003BGTB
仓库库存编号:
PHTH-100KCT-ND
别名:PHTH-100KCT
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 10K OHM 0.1% 1/5W 2010
详细描述:10 kOhms ±0.1% 0.2W,1/5W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT2010Y1002BGTB
仓库库存编号:
PHTH-10KCT-ND
别名:PHTH-10KCT
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 1.0UF 20% 50V 2010
详细描述:1μF 保形涂层 钽电容器 50V 2010(5125 公制) 6 欧姆
型号:
CWR06NC105MR
仓库库存编号:
CWR06NC105MR-ND
别名:CWR06NC105MR-MIL
Q3642645
规格:大小/尺寸 0.200" 长 x 0.100" 宽(5.08mm x 2.54mm),
含铅
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