品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(16)
分立半导体产品
(16)
筛选品牌
Vishay Siliconix (16)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP27N60KPBF
仓库库存编号:
IRFP27N60KPBF-ND
别名:*IRFP27N60KPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 446W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS37N50APBF
仓库库存编号:
IRFPS37N50APBF-ND
别名:*IRFPS37N50APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60LPBF
仓库库存编号:
IRFP26N60LPBF-ND
别名:*IRFP26N60LPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS415DNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS415DNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS415DNT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7623DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7623DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7623DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ466E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ466E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ466E-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 30A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7159DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7159DP-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-09_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-09_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 27A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP27N60K
仓库库存编号:
IRFP27N60K-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 36A(Tc) 446W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS37N50A
仓库库存编号:
IRFPS37N50A-ND
别名:*IRFPS37N50A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1405ZTRL
仓库库存编号:
IRF1405ZTRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1405ZTRR
仓库库存编号:
IRF1405ZTRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 14A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7483ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7483ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7483ADP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 14A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7483ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7483ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7483ADP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60L
仓库库存编号:
IRFP26N60L-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号