品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4435DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4435DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4435DDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4420BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4420BDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 5W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4925DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4925DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4925DDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4925BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4925BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4925BDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7848BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7848BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7848BDP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7848BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7848BDP-T1-E3CT-ND
别名:SI7848BDP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4434DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4434DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4434DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4435DDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4435DDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4435DDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 3.5W(Ta),27.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7619DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7619DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7619DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7434DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7434DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7434DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4434DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4434DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4434DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 32W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA12N50E-E3
仓库库存编号:
SIHA12N50E-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Ta) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3417DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3417DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3417DV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Tc) 114W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD12N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHD12N50E-GE3-ND
别名:SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3CT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 10A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ10N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ10N60E-T1-GE3-ND
别名:SIHJ10N60E-T1-GE3CT
SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 3.5W(Ta),27.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7121ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7121ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7121ADN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220 FPK
详细描述:通孔 N 沟道 42.8A(Tc) 35.7W(Tc) TO-220 整包
型号:
SUA70090E-E3
仓库库存编号:
SUA70090E-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70090E-GE3
仓库库存编号:
SUP70090E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4840BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4840BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4840BDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4840BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4840BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4840BDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7434DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7434DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7434DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) TO-252
型号:
SUD70090E-GE3
仓库库存编号:
SUD70090E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4420BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4420BDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 114W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP12N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHP12N50E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Tc) 114W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB12N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N50E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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