品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7852ADP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 19.8A 3.25W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4204DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4204DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4204DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5419DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5419DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5419DU-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 4.5W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA12DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA12DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA12DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7852ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7852ADP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 57A(Tc) 55W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA06EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA06EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA06EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 57A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 57A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA92EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA92EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA92EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA12ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA12ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA12ADN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7120ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7120ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7120ADN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.1W(Ta),5.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4396DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4396DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4396DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA483DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA483DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA483DJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ900DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ900DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ900DT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 160A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ906EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ906EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ906EL-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS496EDNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS496EDNT-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SQ4284EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4284EY-T1_GE3-ND
别名:SQ4284EY-T1-GE3
SQ4284EY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7720DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7720DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7720DN-T1-GE3TR
SI7720DNT1GE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF734
仓库库存编号:
IRF734-ND
别名:*IRF734
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 450V 3.4A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI734G
仓库库存编号:
IRFI734G-ND
别名:*IRFI734G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF734L
仓库库存编号:
IRF734L-ND
别名:*IRF734L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB5N50LPBF
仓库库存编号:
IRFIB5N50LPBF-ND
别名:*IRFIB5N50LPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF734PBF
仓库库存编号:
IRF734PBF-ND
别名:*IRF734PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 450V 3.4A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI734GPBF
仓库库存编号:
IRFI734GPBF-ND
别名:*IRFI734GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 3.1W(Ta),5.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4396DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4396DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4396DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6.3A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7120DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7120DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7120DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 18A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM18N25-165-E3
仓库库存编号:
SUM18N25-165-E3CT-ND
别名:SUM18N25-165-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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