品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2307BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2307BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2307BDS-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2318DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2318DS-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4936BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4936BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4936BDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4288DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4288DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4288DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7288DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7288DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7288DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2318DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2318DS-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 2W(Tc)
型号:
SQ2361AEES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2361AEES-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.5A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2307BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2307BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2307BDS-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc)
型号:
SIA444DJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA444DJT-T1-GE3CT-ND
别名:SIA444DJT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3457CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3457CDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3457CDV-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 37W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD15N06-42L_GE3
仓库库存编号:
SQD15N06-42L_GE3CT-ND
别名:SQD15N06-42L_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 560mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9220PBF
仓库库存编号:
IRFD9220PBF-ND
别名:*IRFD9220PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 3A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9620GPBF
仓库库存编号:
IRFI9620GPBF-ND
别名:*IRFI9620GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA533EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA533EDJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 2W(Ta),3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3457CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3457CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3457CDV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4176DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4176DY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
型号:
SQ4937EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4937EY-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4936BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4936BDY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 560mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9220
仓库库存编号:
IRFD9220-ND
别名:*IRFD9220
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9620G
仓库库存编号:
IRFI9620G-ND
别名:*IRFI9620G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.4A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3454ADV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3454ADV-T1-E3CT-ND
别名:SI3454ADV-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.6A(Tc) 1.93W(Ta),2.75W(Tc) 8-SO
型号:
SI4833ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4833ADY-T1-E3TR-ND
别名:SI4833ADY-T1-E3TR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3.8A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6544BDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6544BDQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6544BDQ-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),5.2W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7620DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7620DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7620DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3.8A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6544BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6544BDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6544BDQ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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