品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7164DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7164DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7164DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR418DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR418DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR418DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR788DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR788DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR788DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS10DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS10DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS10DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA58DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA58DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA58DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 75W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ904E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ904E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ904E-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP25N60EFL-GE3
仓库库存编号:
SIHP25N60EFL-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG25N60EFL-GE3
仓库库存编号:
SIHG25N60EFL-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA80EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA80EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA80EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJA58DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJA58DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJA58DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA25N60EFL-E3
仓库库存编号:
SIHA25N60EFL-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR168DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR168DP-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50N04-5M6L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N04-5M6L_GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM75N06-09L-E3
仓库库存编号:
SUM75N06-09L-E3CT-ND
别名:SUM75N06-09L-E3-ND
SUM75N06-09L-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7958DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7958DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7958DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7960DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7960DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7960DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7958DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7958DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7958DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7960DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7960DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7960DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE854DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE854DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE854DF-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.2A(Ta),50A(Tc) 3W(Ta),136.4W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N10-18P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N10-18P-GE3CT-ND
别名:SUD50N10-18P-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE854DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE854DF-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(U)
型号:
SIE862DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE862DF-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.2A(Ta),50A(Tc) 3W(Ta),136.4W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N10-18P-E3
仓库库存编号:
SUD50N10-18P-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70N04-07L-E3
仓库库存编号:
SUM70N04-07L-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N10-18P-E3
仓库库存编号:
SUP60N10-18P-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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