品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR464DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR464DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR464DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.2A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4122DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4122DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4122DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7790DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7790DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7790DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4164DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4164DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4164DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE818DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE818DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE818DF-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 10W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-06AP-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-06AP-E3CT-ND
别名:SUD50N03-06AP-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 128A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP80090E-GE3
仓库库存编号:
SUP80090E-GE3-ND
别名:SUP80090E-GE3CT
SUP80090E-GE3CT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG23N60E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR818DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR818DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR818DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 128A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM80090E-GE3
仓库库存编号:
SUM80090E-GE3CT-ND
别名:SUM80090E-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ44GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ44GPBF-ND
别名:*IRFIZ44GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16.1A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 8-SO
型号:
SI4401DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4401DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4401DDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4114DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4114DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4114DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 37.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR820DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR820DP-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 20A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4114DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4114DY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP23N60E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF23N60E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE818DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE818DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE818DF-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB23N60E-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ44G
仓库库存编号:
IRFIZ44G-ND
别名:*IRFIZ44G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 57A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP044PBF
仓库库存编号:
IRFP044PBF-ND
别名:*IRFP044PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220-5
型号:
IRCZ44PBF
仓库库存编号:
IRCZ44PBF-ND
别名:*IRCZ44PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-05H-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-05H-E3CT-ND
别名:SUM110N04-05H-E3CT
SUM110N0405HE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 60A(Tc) 3W(Ta),93.7W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-13L-GE3
仓库库存编号:
SUD50P04-13L-GE3CT-ND
别名:SUD50P04-13L-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 60A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 60A(Tc) 3W(Ta),93.7W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-13L-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-13L-E3CT-ND
别名:SUD50P04-13L-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 95nC @ 10V,
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