品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4850EY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ488EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ488EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ488EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7850DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7850DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7850DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4174DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4174DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4174DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4850EY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA426DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA426DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA426DJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc)
型号:
SIR474DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR474DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR474DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7980DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7980DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7980DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7850DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7850DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7850DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7252DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7252DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7252DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8489EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8489EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8489EDB-T2-E1CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3469EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3469EV-T1_GE3-ND
别名:SQ3469EV-T1-GE3
SQ3469EV-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR474DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR474DP-T1-RE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520N
仓库库存编号:
IRFI9520N-ND
别名:*IRFI9520N
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTR
仓库库存编号:
IRFU4105ZTR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTRL
仓库库存编号:
IRFU4105ZTRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
含铅
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MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU4105ZTRR
仓库库存编号:
IRFU4105ZTRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4388DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4388DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4388DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4388DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4388DY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7980DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7980DP-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR874DP-T1-GE3
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SIR874DP-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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