品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS438DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS438DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS438DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 1.9W(Ta),6.5W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 双
型号:
SIA817EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA817EDJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA921EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA921EDJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7716ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7716ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7716ADN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.5A(Tc) 5W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456CDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456CDP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR484DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR484DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR484DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount
型号:
SIA907EDJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA907EDJT-T1-GE3CT-ND
别名:SIA907EDJT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR472DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR472DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR472DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc)
型号:
SI4134DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4134DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4134DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4134DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4134DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4134DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4172DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4172DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4172DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6562CDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6562CDQ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC30APBF
仓库库存编号:
IRFBC30APBF-ND
别名:*IRFBC30APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4804CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4804CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4804CDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ASPBF-ND
别名:*IRFBC30ASPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA921EDJ-T4-GE3
仓库库存编号:
SIA921EDJ-T4-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4214DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4214DY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4804CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4804CDY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ958EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ958EP-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ720DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ720DT-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 47A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ848EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ848EP-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30ALPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ALPBF-ND
别名:*IRFBC30ALPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRLPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC30A
仓库库存编号:
IRFBC30A-ND
别名:*IRFBC30A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30AS
仓库库存编号:
IRFBC30AS-ND
别名:*IRFBC30AS
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
含铅
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