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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
型号:
NTMD6N03R2
仓库库存编号:
NTMD6N03R2OS-ND
别名:NTMD6N03R2OS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS3P03R2
仓库库存编号:
NTMS3P03R2OS-ND
别名:NTMS3P03R2OS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD3P102R2
仓库库存编号:
NTMSD3P102R2OS-ND
别名:NTMSD3P102R2OS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2OS-ND
别名:NTMSD6N303R2OS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS3P03R2G
仓库库存编号:
NTMS3P03R2GOS-ND
别名:NTMS3P03R2GOS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD3P102R2G
仓库库存编号:
NTMSD3P102R2GOS-ND
别名:NTMSD3P102R2GOS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD3P303R2G
仓库库存编号:
NTMSD3P303R2GOS-ND
别名:NTMSD3P303R2GOS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2G
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2GOS-ND
别名:NTMSD6N303R2GOS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 18A(Ta),116A(Tc) 110W(Tc) TO-251
型号:
FDU8874
仓库库存编号:
FDU8874-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11A(Ta),40A(Tc) 40W(Tc) TO-251
型号:
FDU8878
仓库库存编号:
FDU8878-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 12.6A(Ta),55A(Tc) 55W(Tc) TO-251
型号:
FDU8882
仓库库存编号:
FDU8882-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),35A(Tc) 160W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD044AN03L
仓库库存编号:
FDD044AN03L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 13A(Ta),58A(Tc) 55W(Tc) TO-251
型号:
FDU8880
仓库库存编号:
FDU8880-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002_L99Z
仓库库存编号:
2N7002_L99Z-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002_S00Z
仓库库存编号:
2N7002_S00Z-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),121A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8874
仓库库存编号:
FDB8874-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 17A(Ta),94A(Tc) 80W(Tc) TO-251
型号:
FDU8896
仓库库存编号:
FDU8896-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 73A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 15A(Ta),73A(Tc) 70W(Tc) TO-251
型号:
FDU8876
仓库库存编号:
FDU8876-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 21A(Ta),35A(Tc) 160W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU044AN03L
仓库库存编号:
FDU044AN03L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 17A(Ta),35A(Tc) 80W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU068AN03L
仓库库存编号:
FDU068AN03L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 21A(Ta),160A(Tc) 160W(Tc) TO-251
型号:
FDU8870
仓库库存编号:
FDU8870-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta),35A(Tc) 80W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD068AN03L
仓库库存编号:
FDD068AN03L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06LTF
仓库库存编号:
FQD13N06LTF-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 13.6A(Tc) 3.75W(Ta),45W(Tc) I2PAK
型号:
FQI13N06LTU
仓库库存编号:
FQI13N06LTU-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 17.2A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD20N06LTM
仓库库存编号:
FQD20N06LTM-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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