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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3N80TU
仓库库存编号:
FQI3N80TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N80
仓库库存编号:
FQP3N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 49W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9Z24
仓库库存编号:
SFP9Z24-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 7.8A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) D-Pak
型号:
SFR9024TM
仓库库存编号:
SFR9024TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251-3
型号:
SFU9220TU_AM002
仓库库存编号:
SFU9220TU_AM002-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251-3
型号:
SFU9220TU_F080
仓库库存编号:
SFU9220TU_F080-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 4.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF04N62ZG
仓库库存编号:
NDF04N62ZGOS-ND
别名:NDF04N62ZG-ND
NDF04N62ZGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 35V 9A ECH8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35V 9A(Ta) 1.5W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8419-TL-H
仓库库存编号:
ECH8419-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 35V 10A 8SOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 10A 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
FW812-TL-E
仓库库存编号:
FW812-TL-E-ND
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