规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000TA
仓库库存编号:
2N7000TACT-ND
别名:2N7000TACT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000
仓库库存编号:
2N7000FS-ND
别名:2N7000FS
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000_D26Z
仓库库存编号:
2N7000_D26ZCT-ND
别名:2N7000_D26ZCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000_D74Z
仓库库存编号:
2N7000_D74ZFSCT-ND
别名:2N7000_D74ZFSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR1P02LT1G
仓库库存编号:
NTR1P02LT1GOSCT-ND
别名:NTR1P02LT1GOS
NTR1P02LT1GOS-ND
NTR1P02LT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3
型号:
NVR1P02T1G
仓库库存编号:
NVR1P02T1GOSCT-ND
别名:NVR1P02T1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000BU
仓库库存编号:
2N7000BU-ND
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000_D75Z
仓库库存编号:
2N7000_D75ZFSCT-ND
别名:2N7000_D75ZFSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3
型号:
NVTR01P02LT1G
仓库库存编号:
NVTR01P02LT1GOSCT-ND
别名:NVTR01P02LT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.13A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NVTR4502PT1G
仓库库存编号:
NVTR4502PT1GOSCT-ND
别名:NVTR4502PT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MGSF1N02LT1G
仓库库存编号:
MGSF1N02LT1GOSCT-ND
别名:MGSF1N02LT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR1P02T1G
仓库库存编号:
NTR1P02T1GOSCT-ND
别名:NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-ND
NTR1P02T1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MVGSF1N02LT1G
仓库库存编号:
MVGSF1N02LT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
VN2222LL
仓库库存编号:
VN2222LLOS-ND
别名:VN2222LLOS
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 750mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MGSF1N02LT1
仓库库存编号:
MGSF1N02LT1OSCT-ND
别名:MGSF1N02LT1OSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 750mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MGSF1P02LT1
仓库库存编号:
MGSF1P02LT1OSTR-ND
别名:MGSF1P02LT1OSTR
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7008
仓库库存编号:
2N7008OS-ND
别名:2N7008OS
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR1P02T1
仓库库存编号:
NTR1P02T1OS-ND
别名:NTR1P02T1OS
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR1P02T3
仓库库存编号:
NTR1P02T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
VN2222LLRLRA
仓库库存编号:
VN2222LLRLRA-ND
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
含铅
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MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 150mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
VN2222LLRLRAG
仓库库存编号:
VN2222LLRLRAGOSCT-ND
别名:VN2222LLRLRAGOSCT
规格:功率耗散(最大值) 400mW(Ta),
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