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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 41W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF15P12
仓库库存编号:
FQPF15P12-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5853NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5853NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFD5853NLT1GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 16.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17P10
仓库库存编号:
FQP17P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP15P12
仓库库存编号:
FQP15P12-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.2A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4N90TU
仓库库存编号:
FQI4N90TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5853NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5853NLWFT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 16.5A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB17P10TM
仓库库存编号:
FQB17P10TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 120V 15A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) I2PAK
型号:
FQI15P12TU
仓库库存编号:
FQI15P12TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 100V 10.5A(Tc) 41W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF17P10
仓库库存编号:
FQPF17P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 120V 15A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB15P12TM
仓库库存编号:
FQB15P12TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO-3PF
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12.4A(Tc) 56W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF17P10
仓库库存编号:
FQAF17P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 120W(Tc) TO-3P
型号:
FQA17P10
仓库库存编号:
FQA17P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4.2A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP4N90
仓库库存编号:
FQP4N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N90
仓库库存编号:
FQPF4N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 4.2A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N90TM
仓库库存编号:
FQB4N90TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
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