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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 27A 800mW, 900mW Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
型号:
FDPC8011S
仓库库存编号:
FDPC8011SFSCT-ND
别名:FDPC8011SFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),36A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD86102
仓库库存编号:
FDD86102CT-ND
别名:FDD86102CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8935
仓库库存编号:
FDS8935CT-ND
别名:FDS8935CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N60CTM
仓库库存编号:
FQD5N60CTMCT-ND
别名:FQD5N60CTMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),37A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86326
仓库库存编号:
FDD86326CT-ND
别名:FDD86326CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7A 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),24W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC8015L
仓库库存编号:
FDMC8015LCT-ND
别名:FDMC8015LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A TP
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1W(Ta),35W(Tc) TP-FA
型号:
SFT1445-TL-H
仓库库存编号:
SFT1445-TL-HOSCT-ND
别名:SFT1445-TL-HOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQD5N60CTM_WSCT-ND
别名:FQD5N60CTM_WSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),45A(Tc) 90W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD20AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD20AN06A0_F085CT-ND
别名:FDD20AN06A0_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N60C
仓库库存编号:
FQPF5N60CFS-ND
别名:FQPF5N60C-ND
FQPF5N60CFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQB5N60CTM_WSCT-ND
别名:FQB5N60CTM_WSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 3.13W(Ta),100W(Tc) I2PAK
型号:
FQI5N60CTU
仓库库存编号:
FQI5N60CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
FDC5661N_F085
仓库库存编号:
FDC5661N_F085CT-ND
别名:FDC5661N_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A TP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Ta) 1W(Ta),35W(Tc) TP
型号:
SFT1445-H
仓库库存编号:
SFT1445-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MV7 60/20V 1000A N-CHANNEL POWER
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 48.4W(Tj) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD86581_F085
仓库库存编号:
FDD86581_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MV7 N CHANNEL POWER TRENCH MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 50W(Tj) 8-PQFN(5x6)
型号:
FDMS86581_F085
仓库库存编号:
FDMS86581_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5N60CTU
仓库库存编号:
FQU5N60CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5N60C
仓库库存编号:
FQP5N60C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta),45A(Tc) 90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB20AN06A0
仓库库存编号:
FDB20AN06A0-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 9A(Ta),45A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP20AN06A0
仓库库存编号:
FDP20AN06A0-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF5N60CYDTU
仓库库存编号:
FQPF5N60CYDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N60CTF
仓库库存编号:
FQD5N60CTF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N80
仓库库存编号:
FQPF3N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 3.13W(Ta),100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N60CTM
仓库库存编号:
FQB5N60CTM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N80TM
仓库库存编号:
FQB3N80TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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