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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN340P
仓库库存编号:
FDN340PCT-ND
别名:FDN340P_F095CT
FDN340P_F095CT-ND
FDN340PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN339AN
仓库库存编号:
FDN339ANCT-ND
别名:FDN339ANCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
SI3443DV
仓库库存编号:
SI3443DVFSCT-ND
别名:SI3443DVFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC634P
仓库库存编号:
FDC634PCT-ND
别名:FDC634PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 11A 1.4W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
型号:
ECH8695R-TL-W
仓库库存编号:
ECH8695R-TL-WOSCT-ND
别名:ECH8695R-TL-WOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
型号:
FDMA1029PZ
仓库库存编号:
FDMA1029PZCT-ND
别名:FDMA1029PZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS9933A
仓库库存编号:
FDS9933ACT-ND
别名:FDS9933ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Ta) 1.4W(Tj) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDFMA2P029Z
仓库库存编号:
FDFMA2P029ZCT-ND
别名:FDFMA2P029ZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4151PT1G
仓库库存编号:
NTJS4151PT1GOSCT-ND
别名:NTJS4151PT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.2W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NVJS4151PT1G
仓库库存编号:
NVJS4151PT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8P 20V/8V SINGLE SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.15A(Ta) 1.6W(Ta) SOT-23
型号:
FDV045P20L
仓库库存编号:
FDV045P20L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta),40A(Tc) 1.27W(Ta),35.3W(Tc) DPAK
型号:
NTD4813NHT4G
仓库库存编号:
NTD4813NHT4GOSTR-ND
别名:NTD4813NHT4G-ND
NTD4813NHT4GOSTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1.14W(Ta) 6-DFN(3x3)
型号:
NTLGF3402PT2G
仓库库存编号:
NTLGF3402PT2G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 1.14W(Ta) 6-DFN(3x3)
型号:
NTLGF3501NT2G
仓库库存编号:
NTLGF3501NT2G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN340P
仓库库存编号:
FDN340P-DIE-ND
别名:FCFDN340P
FCFDN340P-ND
FDN340P-DIE
FDN340P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8?
型号:
NTTD1P02R2
仓库库存编号:
NTTD1P02R2OS-ND
别名:NTTD1P02R2OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.3A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4151PT1
仓库库存编号:
NTJS4151PT1OSCT-ND
别名:NTJS4151PT1OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8?
型号:
NTTD1P02R2G
仓库库存编号:
NTTD1P02R2GOS-ND
别名:NTTD1P02R2GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
型号:
FDR8702H
仓库库存编号:
FDR8702H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SC75-6 FLMP
型号:
FDJ127P
仓库库存编号:
FDJ127P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ298N
仓库库存编号:
FDZ298N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.3A(Ta) 1.14W(Ta) 6-DFN(3x3)
型号:
NTLGF3402PT1G
仓库库存编号:
NTLGF3402PT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.8A(Ta) 1.14W(Ta) 6-DFN(3x3)
型号:
NTLGF3501NT1G
仓库库存编号:
NTLGF3501NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 7.6A(Ta),40A(Tc) 1.27W(Ta),35.3W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4813NH-1G
仓库库存编号:
NTD4813NH-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 7.6A(Ta),40A(Tc) 1.27W(Ta),35.3W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4813NH-35G
仓库库存编号:
NTD4813NH-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V,
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