规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC608PZ
仓库库存编号:
FDC608PZCT-ND
别名:FDC608PZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.7A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),44W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD3706
仓库库存编号:
FDD3706FSCT-ND
别名:FDD3706FSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6898AZ
仓库库存编号:
FDS6898AZCT-ND
别名:FDS6898AZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6898A
仓库库存编号:
FDS6898ACT-ND
别名:FDS6898ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6898AZ_F085
仓库库存编号:
FDS6898AZ_F085CT-ND
别名:FDS6898AZ_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),68W(Tc) DPAK
型号:
NVD4806NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD4806NT4G-VF01-ND
别名:NTDV20N06T4G-VF01
NVD4806NT4G
NVD4806NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 9A(Ta) 930mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4503NR2
仓库库存编号:
NTMS4503NR2OSCT-ND
别名:NTMS4503NR2OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
型号:
FDR8305N
仓库库存编号:
FDR8305N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 14.7A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),44W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU3706
仓库库存编号:
FDU3706-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
型号:
NDH8304P
仓库库存编号:
NDH8304P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),68W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4806N-1G
仓库库存编号:
NTD4806N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),68W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4806N-35G
仓库库存编号:
NTD4806N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) I-Pak
型号:
NTD4806NA-1G
仓库库存编号:
NTD4806NA-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) I-Pak
型号:
NTD4806NA-35G
仓库库存编号:
NTD4806NA-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) DPAK
型号:
NTD4806NAT4G
仓库库存编号:
NTD4806NAT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 9A(Ta) 930mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4503NR2G
仓库库存编号:
NTMS4503NR2GOSCT-ND
别名:NTMS4503NR2GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),68W(Tc) DPAK
型号:
NTD4806NT4G
仓库库存编号:
NTD4806NT4GOSCT-ND
别名:NTD4806NT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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