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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 3.1W(Ta),69W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD3860
仓库库存编号:
FDD3860CT-ND
别名:FDD3860CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),75A(Tc) 820mW(Ta), 33W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C05NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4C05NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4C05NTAGOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5864NG
仓库库存编号:
NTP5864NGOS-ND
别名:NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 10.4A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
型号:
FDMD85100
仓库库存编号:
FDMD85100CT-ND
别名:FDMD85100CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),58A(Tc) 55W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8880
仓库库存编号:
FDD8880CT-ND
别名:FDD8880CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A PT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS0312AS
仓库库存编号:
FDMS0312ASCT-ND
别名:FDMS0312ASCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta),70A(Tc) 920mW(Ta),43W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4937NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4937NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4937NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) Power56
型号:
FDMS8027S
仓库库存编号:
FDMS8027SCT-ND
别名:FDMS8027SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta),44A(Tc) 120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3672_F085
仓库库存编号:
FDB3672_F085CT-ND
别名:FDB3672_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N80TM
仓库库存编号:
FQB6N80TMCT-ND
别名:FQB6N80TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N80T
仓库库存编号:
FQPF6N80TFS-ND
别名:FQPF6N80T-ND
FQPF6N80TFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),75A(Tc) 820mW(Ta), 33W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C05NTWG
仓库库存编号:
NTTFS4C05NTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A ECH8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.6W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8410-TL-H
仓库库存编号:
ECH8410-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4937NCT1G
仓库库存编号:
NTMFS4937NCT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 70A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4937NCT3G
仓库库存编号:
NTMFS4937NCT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),102A(Tc) 3.2W(Ta),68W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C05NTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C05NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),102A(Tc) 3.2W(Ta),68W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4C05NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4C05NWFTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4410
仓库库存编号:
FDS4410-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 13A(Ta),58A(Tc) 55W(Tc) TO-251
型号:
FDU8880
仓库库存编号:
FDU8880-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 10A(Ta),42A(Tc) 3.8W(Ta),50W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU6030BL
仓库库存编号:
FDU6030BL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.8A(Tc) 158W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N80
仓库库存编号:
FQP6N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.3A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N80
仓库库存编号:
FQPF6N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.3A(Tc) 185W(Tc) TO-3P
型号:
FQA6N80
仓库库存编号:
FQA6N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.4A(Tc) 90W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF6N80
仓库库存编号:
FQAF6N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.1W(Ta) 18-BGA(2.5x4)
型号:
FDZ7296
仓库库存编号:
FDZ7296CT-ND
别名:FDZ7296CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 31nC @ 10V,
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