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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN302P
仓库库存编号:
FDN302PCT-ND
别名:FDN302PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA410NZ
仓库库存编号:
FDMA410NZCT-ND
别名:FDMA410NZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA291P
仓库库存编号:
FDMA291PCT-ND
别名:FDMA291PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.9A(Ta) 770mW(Ta),33W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C05NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C05NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C05NT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC638P
仓库库存编号:
FDC638PCT-ND
别名:FDC638PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.65A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3441T1G
仓库库存编号:
NTGS3441T1GOSCT-ND
别名:NTGS3441T1GOS
NTGS3441T1GOS-ND
NTGS3441T1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.65A(Ta) 6-TSOP
型号:
NVGS3441T1G
仓库库存编号:
NVGS3441T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
SINGLE PT4 NCH 20/8V ZENER IN ML
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-ULMP(2x2)
型号:
FDMA410NZT
仓库库存编号:
FDMA410NZT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.2A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4824NTWG
仓库库存编号:
NVTFS4824NTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.2A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4824NTAG
仓库库存编号:
NVTFS4824NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 8.5A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),58W(Tc) DPAK
型号:
NTD60N02RT4
仓库库存编号:
NTD60N02RT4OSCT-ND
别名:NTD60N02RT4OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.65A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3441T1
仓库库存编号:
NTGS3441T1OS-ND
别名:NTGS3441T1OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 900mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FDC6036P
仓库库存编号:
FDC6036PCT-ND
别名:FDC6036P_NLCT
FDC6036P_NLCT-ND
FDC6036PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
SI3442DV
仓库库存编号:
SI3442DV-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
NDC631N
仓库库存编号:
NDC631N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 8.5A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),58W(Tc) I-Pak
型号:
NTD60N02R-035
仓库库存编号:
NTD60N02R-035-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 8.5A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),58W(Tc) I-Pak
型号:
NTD60N02R-1G
仓库库存编号:
NTD60N02R-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 8.5A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),58W(Tc) I-Pak
型号:
NTD60N02R-35G
仓库库存编号:
NTD60N02R-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 4.5A(Ta) 1.1W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHD2110TT1G
仓库库存编号:
NTHD2110TT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 8.5A(Ta),32A(Tc) 1.25W(Ta),58W(Tc) DPAK
型号:
NTD60N02RT4G
仓库库存编号:
NTD60N02RT4GOSCT-ND
别名:NTD60N02RT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.9A(Ta),78A(Tc) 770mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C05NT1G-001
仓库库存编号:
NTMFS4C05NT1G-001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V,
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