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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(9x12.5)
型号:
MT47H128M16RT-25E AIT:C
仓库库存编号:
MT47H128M16RT-25E AIT:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H256M8EB-25E AIT:C
仓库库存编号:
MT47H256M8EB-25E AIT:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(9x12.5)
型号:
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR
仓库库存编号:
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
仓库库存编号:
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(9x12.5)
型号:
MT47H128M16RT-25E AAT:C
仓库库存编号:
MT47H128M16RT-25E AAT:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(9x12.5)
型号:
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
仓库库存编号:
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M8THN-25E:M TR
仓库库存编号:
MT47H256M8THN-25E:M TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M8THN-25E:M
仓库库存编号:
MT47H256M8THN-25E:M-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H512M8WTR-25E:C
仓库库存编号:
MT47H512M8WTR-25E:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H512M8WTR-25E:C TR
仓库库存编号:
MT47H512M8WTR-25E:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb (1G x 4) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H1G4WTR-25E:C TR
仓库库存编号:
MT47H1G4WTR-25E:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb (1G x 4) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H1G4WTR-25E:C
仓库库存编号:
MT47H1G4WTR-25E:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 700ps 60-FBGA(8x14)
型号:
MT46V16M16FG-5B:F TR
仓库库存编号:
557-1015-1-ND
别名:557-1015-1
MT46V16M16FG-5B:F
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(8x14)
型号:
MT46V16M16FG-6:F TR
仓库库存编号:
557-1016-1-ND
别名:557-1016-1
MT46V16M16FG-6:F
MT46V16M16FG6FTR
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16TG-5B:F TR
仓库库存编号:
557-1017-1-ND
别名:557-1017-1
MT46V16M16TG-5B:F
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16TG-6T IT:F TR
仓库库存编号:
557-1018-1-ND
别名:557-1018-1
MT46V16M16TG-6T IT:F
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16TG-6T:F TR
仓库库存编号:
557-1020-1-ND
别名:557-1020-1
MT46V16M16TG-6T:F
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 200MHz 700ps 60-FBGA(8x14)
型号:
MT46V32M8FG-5B:G TR
仓库库存编号:
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别名:557-1025-1
MT46V32M8FG-5B:G
MT46V32M8FG5BGTR
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(8x14)
型号:
MT46V32M8FG-6:G TR
仓库库存编号:
557-1026-1-ND
别名:557-1026-1
MT46V32M8FG-6:G
MT46V32M8FG6GTR
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M8TG-5B:G TR
仓库库存编号:
557-1027-1-ND
别名:557-1027-1
MT46V32M8TG-5B:G
MT46V32M8TG5BGTR
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M8TG-6T IT:G TR
仓库库存编号:
557-1028-1-ND
别名:557-1028-1
MT46V32M8TG-6T IT:G
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M8TG-6T L:G TR
仓库库存编号:
557-1029-1-ND
别名:557-1029-1
MT46V32M8TG-6T L:G
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M8TG-6T:G TR
仓库库存编号:
557-1030-1-ND
别名:557-1030-1
MT46V32M8TG-6T:G
MT46V32M8TG6TGTR
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (64M x 4) 并联 200MHz 700ps 60-FBGA(8x14)
型号:
MT46V64M4FG-5B:G TR
仓库库存编号:
557-1031-1-ND
别名:557-1031-1
MT46V64M4FG-5B:G
MT46V64M4FG5BGTR
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (64M x 4) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(8x14)
型号:
MT46V64M4FG-6:G TR
仓库库存编号:
557-1032-1-ND
别名:557-1032-1
MT46V64M4FG-6:G
MT46V64M4FG6GTR
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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