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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41J128M16JT-107:K TR
仓库库存编号:
MT41J128M16JT-107:K TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41J256M8DA-125:K TR
仓库库存编号:
MT41J256M8DA-125:K TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41K128M16JT-107:K TR
仓库库存编号:
MT41K128M16JT-107:K TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 13.75ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41K128M16JT-125:K TR
仓库库存编号:
MT41K128M16JT-125:K TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 20ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K256M8DA-107:K TR
仓库库存编号:
MT41K256M8DA-107:K TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K512M4DA-125:K TR
仓库库存编号:
MT41K512M4DA-125:K TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
仓库库存编号:
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联
型号:
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41J128M16JT-107:K
仓库库存编号:
MT41J128M16JT-107:K-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41J256M8DA-125:K
仓库库存编号:
MT41J256M8DA-125:K-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41K128M16JT-107:K
仓库库存编号:
MT41K128M16JT-107:K-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 13.75ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41K128M16JT-125:K
仓库库存编号:
MT41K128M16JT-125:K-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 20ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K256M8DA-107:K
仓库库存编号:
MT41K256M8DA-107:K-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K512M4DA-125:K
仓库库存编号:
557-1721-ND
别名:557-1721
MT41K512M4DA-125:K-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41K64M16TW-107 XIT:J
仓库库存编号:
MT41K64M16TW-107 XIT:J-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH PSRAM 768M
详细描述:FLASH - NOR,Mobile LPDDR SDRAM 存储器 IC 256Mb(16M x 16),512M(32M x 16) 并联 70ns 133-VFBGA(8x8)
型号:
M39L0R8090U3ZE6F TR
仓库库存编号:
M39L0R8090U3ZE6F TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 48-TSOP
型号:
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 48-TSOP
型号:
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E
仓库库存编号:
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E
仓库库存编号:
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
仓库库存编号:
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
MOD MCP EMMC 16GB WFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) MMC
型号:
MTFC4GACAAEA-WT TR
仓库库存编号:
MTFC4GACAAEA-WT TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABADAH4-IT:D
仓库库存编号:
MT29F4G16ABADAH4-IT:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
仓库库存编号:
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D-ND
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IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR-ND
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