品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1853)
集成电路(IC)
(1853)
筛选品牌
Micron Technology Inc. (1853)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
仓库库存编号:
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (2G x 1) SPI 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 134VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 134-VFBGA(10x11.5)
型号:
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
仓库库存编号:
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-ND
别名:EDB5432BEBH-1DAAT-F-R
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 168WFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 168-WFBGA(12x12)
型号:
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR
仓库库存编号:
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR-ND
别名:EDB5432BEPA-1DAAT-F-R
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABADAH4:D
仓库库存编号:
MT29F4G08ABADAH4:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4:D
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBDAH4:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABADAH4:D
仓库库存编号:
MT29F4G16ABADAH4:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABBDAH4:D
仓库库存编号:
MT29F4G16ABBDAH4:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABADAH4:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G08ABADAH4:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBDAH4:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABADAH4:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G16ABADAH4:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G16ABBDAH4:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 20ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K256M4DA-107:J TR
仓库库存编号:
MT41K256M4DA-107:J TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 20ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K128M8DA-107 IT:J TR
仓库库存编号:
MT41K128M8DA-107 IT:J TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
仓库库存编号:
MT41K64M16TW-107 IT:J TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联
型号:
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABAEAH4:E TR
仓库库存编号:
MT29F4G16ABAEAH4:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABAEAH4:E
仓库库存编号:
MT29F4G16ABAEAH4:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 20ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K256M4DA-107:J
仓库库存编号:
MT41K256M4DA-107:J-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 20ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K128M8DA-107 IT:J
仓库库存编号:
MT41K128M8DA-107 IT:J-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 20ns 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41K64M16TW-107 IT:J
仓库库存编号:
MT41K64M16TW-107 IT:J-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 13.75ns 78-FBGA(8x10.5)
型号:
MT41K256M8DA-125:K TR
仓库库存编号:
MT41K256M8DA-125:K TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号