品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H16M32LFB5-5 IT:C
仓库库存编号:
MT46H16M32LFB5-5 IT:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR
仓库库存编号:
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5.0ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR
仓库库存编号:
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBEAH4:E TR
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBEAH4:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBEAH4:E
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBEAH4:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
仓库库存编号:
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4:D
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBDAH4:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABBDAH4:D
仓库库存编号:
MT29F4G16ABBDAH4:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBDAH4:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G16ABBDAH4:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR
仓库库存编号:
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR
仓库库存编号:
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C
仓库库存编号:
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH PSRAM 768M
详细描述:FLASH - NOR,Mobile LPDDR SDRAM 存储器 IC 256Mb(16M x 16),512M(32M x 16) 并联 70ns 133-VFBGA(8x8)
型号:
M39L0R8090U3ZE6F TR
仓库库存编号:
M39L0R8090U3ZE6F TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
仓库库存编号:
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
仓库库存编号:
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D
仓库库存编号:
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR
仓库库存编号:
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品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 8GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb (1G x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F8G08ABBCAH4:C TR
仓库库存编号:
MT29F8G08ABBCAH4:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 8GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb (1G x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F8G08ABBCAH4:C
仓库库存编号:
MT29F8G08ABBCAH4:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR
仓库库存编号:
MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5ns 54-VFBGA(8x8)
型号:
MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR
仓库库存编号:
MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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