品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5.0ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
MT46H32M16LFBF-5 IT:C
仓库库存编号:
557-1627-ND
别名:557-1627
MT46H32M16LFBF-5 IT:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 60VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 5.0ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
MT46H64M16LFBF-5 IT:B
仓库库存编号:
557-1626-ND
别名:557-1626
MT46H64M16LFBF-5 IT:B-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR
仓库库存编号:
557-1542-1-ND
别名:557-1542-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR
仓库库存编号:
557-1462-1-ND
别名:557-1462-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBDAHC:D TR
仓库库存编号:
557-1485-1-ND
别名:557-1485-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 8UPDFN
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (1G x 1) SPI 8-U-PDFN(8x6)
型号:
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
仓库库存编号:
557-1655-1-ND
别名:557-1655-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
仓库库存编号:
557-1662-1-ND
别名:557-1662-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR
仓库库存编号:
557-1669-1-ND
别名:557-1669-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F2G16ABBEAH4:E TR
仓库库存编号:
557-1545-1-ND
别名:557-1545-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (256M x 16) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F4G16ABBDAHC:D TR
仓库库存编号:
557-1463-1-ND
别名:557-1463-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 8GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb (512M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F8G16ABBCAH4:C TR
仓库库存编号:
557-1680-1-ND
别名:557-1680-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F2G08ABBEAHC:E TR
仓库库存编号:
557-1543-1-ND
别名:557-1543-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 2GBIT 8UDFN
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb (2G x 1) SPI 8-U-PDFN(8x6)
型号:
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
仓库库存编号:
557-1665-1-ND
别名:557-1665-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
仓库库存编号:
557-1459-1-ND
别名:557-1459-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G16ABBEAH4:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G16ABBEAH4:E
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR-ND
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