品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297 E6327
仓库库存编号:
BSP297 E6327-ND
别名:BSP297E6327T
SP000011108
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31
仓库库存编号:
BUZ31IN-ND
别名:BUZ31-ND
BUZ31IN
BUZ31X
BUZ31XK
SP000011341
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) TO-263
型号:
BUZ31 E3045A
仓库库存编号:
BUZ31 E3045A-ND
别名:BUZ31E3045AT
SP000011343
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31 E3046
仓库库存编号:
BUZ31 E3046-ND
别名:BUZ31E3046X
BUZ31E3046XK
SP000011344
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31L
仓库库存编号:
BUZ31LIN-ND
别名:BUZ31L-ND
BUZ31LIN
BUZ31LX
BUZ31LXK
SP000011342
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
BUZ31L E3044A
仓库库存编号:
BUZ31L E3044A-ND
别名:BUZ31LE3044ANT
BUZ31LE3044AT
SP000011961
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32
仓库库存编号:
BUZ32IN-ND
别名:BUZ32-ND
BUZ32IN
BUZ32X
BUZ32XK
SP000011345
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
BUZ32 E3045A
仓库库存编号:
BUZ32 E3045A-ND
别名:BUZ32E3045AT
SP000011346
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ32H3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ32H3045AATMA1-ND
别名:BUZ32 H3045A
BUZ32 L3045A
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32H3045AIN
BUZ32H3045AIN-ND
BUZ32L3045AIN
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32L3045AXT
SP000102174
SP000736086
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73E3046XK
仓库库存编号:
BUZ73E3046XK-ND
别名:BUZ73 E3046
BUZ73 E3046-ND
BUZ73E3046X
SP000011963
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A
仓库库存编号:
BUZ73AIN-ND
别名:BUZ73A-ND
BUZ73AIN
BUZ73AX
BUZ73AXK
SP000011373
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AE3046XK
仓库库存编号:
BUZ73AE3046XK-ND
别名:BUZ73A E3046
BUZ73A E3046-ND
BUZ73AE3046X
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品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AL
仓库库存编号:
BUZ73ALIN-ND
别名:BUZ73AL-ND
BUZ73ALIN
BUZ73ALX
BUZ73ALXK
SP000011375
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73L
仓库库存编号:
BUZ73LIN-ND
别名:BUZ73L-ND
BUZ73LIN
BUZ73LX
BUZ73LXK
SP000011374
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP297L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP297L6327
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20
仓库库存编号:
SPD07N20INCT-ND
别名:SPD07N20INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.6A(Ta),26A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6641TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6641TR1PBFCT-ND
别名:IRF6641TR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP149L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP149L6327
BSP149L6327INCT
BSP149L6327INCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Ta) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NCPBF
仓库库存编号:
IRFR220NCPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D102P
仓库库存编号:
IRFSL23N20D102P-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCPBF
仓库库存编号:
IRFR13N20DCPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRRP
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRRP-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCTRRP
仓库库存编号:
IRFR13N20DCTRRP-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCTRLP
仓库库存编号:
IRFR13N20DCTRLP-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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