品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRL
仓库库存编号:
IRLR2703TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRR
仓库库存编号:
IRLR2703TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRL
仓库库存编号:
IRLR3103TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRR
仓库库存编号:
IRLR3103TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRL
仓库库存编号:
IRLR3303TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3303TRR
仓库库存编号:
IRLR3303TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DYTR
仓库库存编号:
SI4420DYTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1TR
仓库库存编号:
IRF7523D1TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1TR
仓库库存编号:
IRF7526D1TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU014N
仓库库存编号:
IRLU014N-ND
别名:*IRLU014N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5800
仓库库存编号:
IRF5800-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807A
仓库库存编号:
IRF7807A-ND
别名:*IRF7807A
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809AV
仓库库存编号:
IRF7809AV-ND
别名:*IRF7809AV
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2
仓库库存编号:
IRF7807VD2-ND
别名:*IRF7807VD2
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5800TR
仓库库存编号:
IRF5800TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ATR
仓库库存编号:
IRF7807ATR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2TR
仓库库存编号:
IRF7807VD2TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WTR
仓库库存编号:
IRF7811WTR-ND
别名:SP001572286
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 65A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7821
仓库库存编号:
IRLU7821-ND
别名:*IRLU7821
Q1500049
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7821TR
仓库库存编号:
IRF7821TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 14A(Tc) 33W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB9343
仓库库存编号:
IRLIB9343-ND
别名:*IRLIB9343
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343
仓库库存编号:
IRLU4343-ND
别名:*IRLU4343
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 20A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU9343
仓库库存编号:
IRLU9343-ND
别名:*IRLU9343
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRL
仓库库存编号:
IRLR4343CTL-ND
别名:*IRLR4343TRL
IRLR4343CTL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 39W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB4343
仓库库存编号:
IRLIB4343-ND
别名:*IRLIB4343
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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