品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 11A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0910NDIATMA1
仓库库存编号:
BSC0910NDIATMA1-ND
别名:SP000998052
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 46A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB008NE2LXXUMA1
仓库库存编号:
BSB008NE2LXXUMA1-ND
别名:SP000880866
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V AUTO
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLZ24NS
仓库库存编号:
AUIRLZ24NS-ND
别名:SP001518210
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRLU2905
仓库库存编号:
AUIRLU2905-ND
别名:SP001520838
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSG0813NDIATMA1
仓库库存编号:
BSG0813NDIATMA1-ND
别名:SP001241676
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLZ24NSTRL
仓库库存编号:
AUIRLZ24NSTRL-ND
别名:SP001516890
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
别名:SP001063648
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2LH5ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
别名:SP001058126
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSG0810NDIATMA1
仓库库存编号:
BSG0810NDIATMA1-ND
别名:SP001241674
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S2L05AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N06S2L05AKSA2-ND
别名:SP001067950
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N08S2L07AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08S2L07AKSA1-ND
别名:IPP100N08S2L-07
IPP100N08S2L-07-ND
SP000219052
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S2L03ATMA2
仓库库存编号:
IPB100N04S2L03ATMA2-ND
别名:SP001063640
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N08S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND
别名:IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07-ND
SP000219053
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S2L05ATMA2
仓库库存编号:
IPB100N06S2L05ATMA2-ND
别名:SP001067944
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S2L05AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S2L05AKSA2-ND
别名:SP001067948
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7455
仓库库存编号:
IRF7455-ND
别名:*IRF7455
SP001572180
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2705TR
仓库库存编号:
IRLL2705CT-ND
别名:*IRLL2705TR
IRLL2705CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
94-2310
仓库库存编号:
94-2310-ND
别名:*IRL530NS
IRL530NS
IRL530NS-ND
SP001519078
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI520N
仓库库存编号:
IRLI520N-ND
别名:*IRLI520N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530N
仓库库存编号:
IRLI530N-ND
别名:*IRLI530N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI540N
仓库库存编号:
IRLI540N-ND
别名:*IRLI540N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34N
仓库库存编号:
IRLIZ34N-ND
别名:*IRLIZ34N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2905
仓库库存编号:
IRLU2905-ND
别名:*IRLU2905
Q853121
SP001553032
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7463
仓库库存编号:
IRF7463-ND
别名:*IRF7463
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505S
仓库库存编号:
IRL2505S-ND
别名:*IRL2505S
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA,
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