品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NS
仓库库存编号:
IRF520NS-ND
别名:*IRF520NS
SP001559622
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.6A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7326D2TR
仓库库存编号:
IRF7326D2CT-ND
别名:IRF7326D2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7379
仓库库存编号:
IRF7379-ND
别名:*IRF7379
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NL
仓库库存编号:
IRF520NL-ND
别名:*IRF520NL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRL
仓库库存编号:
IRF520NSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRR
仓库库存编号:
IRF520NSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7379TR
仓库库存编号:
IRF7379TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP04N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60C3HKSA1-ND
别名:SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NLPBF
仓库库存编号:
IRF520NLPBF-ND
别名:*IRF520NLPBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCTRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7303QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7303QTRPBFCT-ND
别名:IRF7303QTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7306QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7306QTRPBFCT-ND
别名:IRF7306QTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7379QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7379QTRPBFCT-ND
别名:IRF7379QTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI139N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI139N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI139N08N3 G
IPI139N08N3 G-ND
SP000457714
SP000680716
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R350CP
仓库库存编号:
IPI50R350CP-ND
别名:SP000236084
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP139N08N3 G
仓库库存编号:
IPP139N08N3 G-ND
别名:IPP139N08N3G
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS04N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS04N60C3BKMA1-ND
别名:SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
SPS04N60C3-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB136N08N3 G
仓库库存编号:
IPB136N08N3 GCT-ND
别名:IPB136N08N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7379Q
仓库库存编号:
AUIRF7379Q-ND
别名:SP001518462
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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