品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF520NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF520NSTRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606072
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606038
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606042
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU135N08N3 G
仓库库存编号:
IPU135N08N3 G-ND
别名:IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R350CPXKSA1-ND
别名:IPA50R350CP
IPA50R350CP-ND
SP000236078
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ160N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ160N10NS3 GINCT
BSZ160N10NS3 GINCT-ND
BSZ160N10NS3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ034N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ034N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ034N04LSATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7SAUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606066
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),69A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号:
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名:SP001034234
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 40A(Tc) 63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001227056
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7379QTR
仓库库存编号:
AUIRF7379QTR-ND
别名:SP001520160
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI180N10N3 G
IPI180N10N3 G-ND
IPI180N10N3G
SP000683076
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名:IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPHKSA1-ND
别名:SP000236069
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681024
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名:IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7106
仓库库存编号:
IRF7106-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7204TR
仓库库存编号:
IRF7204CT-ND
别名:*IRF7204TR
IRF7204CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520N
仓库库存编号:
IRF520N-ND
别名:*IRF520N
SP001571320
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TR
仓库库存编号:
IRFL4310CT-ND
别名:*IRFL4310TR
IRFL4310CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI520N
仓库库存编号:
IRFI520N-ND
别名:*IRFI520N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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