品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(44)
分立半导体产品
(44)
筛选品牌
Infineon Technologies (44)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44E
仓库库存编号:
IRFZ44E-ND
别名:*IRFZ44E
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ES
仓库库存编号:
IRFZ44ES-ND
别名:*IRFZ44ES
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRR
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DYTR
仓库库存编号:
SI4435DYTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DY
仓库库存编号:
SI4435DY-ND
别名:*SI4435DY
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44EL
仓库库存编号:
IRFZ44EL-ND
别名:*IRFZ44EL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRL
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRL-ND
别名:SP001552444
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60C3IN-ND
别名:SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 91W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU48ZPBF
仓库库存编号:
IRFU48ZPBF-ND
别名:*IRFU48ZPBF
SP001568148
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB77N06S2-12
仓库库存编号:
SPB77N06S2-12-ND
别名:SP000013587
SPB77N06S212T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP77N06S2-12
仓库库存编号:
SPP77N06S2-12-ND
别名:SP000013588
SPP77N06S212
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB77N06S212ATMA1
仓库库存编号:
IPB77N06S212ATMA1TR-ND
别名:IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-ND
SP000218173
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP77N06S212AKSA1
仓库库存编号:
IPP77N06S212AKSA1-ND
别名:IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12-ND
SP000218172
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16A(Ta),89A(Tc) 3.6W(Ta),100W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5206TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5206TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5206TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR48Z
仓库库存编号:
AUIRFR48Z-ND
别名:SP001522912
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013522
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI11N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014526
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号