品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO150N03MD G
仓库库存编号:
BSO150N03MD GCT-ND
别名:BSO150N03MD GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03MS G
仓库库存编号:
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名:BSZ130N03MSGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),88A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288144
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288156
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302
仓库库存编号:
IRL3302-ND
别名:*IRL3302
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302S
仓库库存编号:
IRL3302S-ND
别名:*IRL3302S
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRL
仓库库存编号:
IRL3302STRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRR
仓库库存编号:
IRL3302STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
64-9144
仓库库存编号:
64-9144CT-ND
别名:*IRF6617
IRF6617CT
IRF6617CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302SPBF
仓库库存编号:
IRL3302SPBF-ND
别名:*IRL3302SPBF
SP001552554
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302PBF
仓库库存编号:
IRL3302PBF-ND
别名:*IRL3302PBF
SP001568274
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6617TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6617TR1PBFCT-ND
别名:IRF6617TR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12N03LB G
仓库库存编号:
IPD12N03LBGINCT-ND
别名:IPD12N03LBG
IPD12N03LBGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),56A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6722MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6722MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6722MTR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3302STRLPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO130N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO130N03MS GCT
BSO130N03MS GCT-ND
BSO130N03MSG
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),45A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC889N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC889N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 15V,
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