品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(159)
分立半导体产品
(159)
筛选品牌
Infineon Technologies (159)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50P04P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P04P4L11ATMA1CT-ND
别名:IPD50P04P4L-11CT
IPD50P04P4L-11CT-ND
IPD50P04P4L11ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC076N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC076N06NS3 GCT
BSC076N06NS3 GCT-ND
BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N06N3 G
仓库库存编号:
IPD088N06N3 GCT-ND
别名:IPD088N06N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 143W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3636TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3636TRPBFCT-ND
别名:IRLR3636TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-5
型号:
SPD50P03L G
仓库库存编号:
SPD50P03LGINCT-ND
别名:SPD50P03LGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD200N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD200N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD200N15N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N15N3 G
仓库库存编号:
IPB200N15N3 GCT-ND
别名:IPB200N15N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R040C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R040C7XKSA1-ND
别名:SP001296190
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号:
IPP50N10S3L16AKSA1-ND
别名:IPP50N10S3L-16
IPP50N10S3L-16-ND
IPP50N10S3L16
SP000407118
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP200N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP200N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-ND
IPP200N15N3G
SP000680884
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R040C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R040C7XKSA1-ND
别名:SP001296204
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP60R040C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R040C7XKSA1-ND
别名:SP001277604
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB065N03L G
仓库库存编号:
IPB065N03LGINCT-ND
别名:IPB065N03LGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S410ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S410ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S410ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 42W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC50N04S55R8ATMA1
仓库库存编号:
IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
别名:IPC50N04S55R8ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S4L06ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S408ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S408ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S408ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 42W(Tc) PG-TDSON-8-33
型号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1
仓库库存编号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
别名:IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S2L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S2L06ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD079N06L3 G
仓库库存编号:
IPD079N06L3 GCT-ND
别名:IPD079N06L3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号