品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7509TRPBF
仓库库存编号:
IRF7509TRPBFCT-ND
别名:IRF7509TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),57A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03LS
仓库库存编号:
BSC052N03LSCT-ND
别名:BSC052N03LSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ520N15NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R650P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R650P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R650P6SATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP530N15N3 G
仓库库存编号:
IPP530N15N3 G-ND
别名:IPP530N15N3G
IPP530N15N3GXKSA1
SP000521722
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9953TRPBF
仓库库存编号:
IRF9953PBFCT-ND
别名:*IRF9953TRPBF
IRF9953PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP320SH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP320SH6327XTSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRFTS9342TRPBF
仓库库存编号:
IRFTS9342TRPBFCT-ND
别名:IRFTS9342TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S2L65AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L65AATMA1CT-ND
别名:IPG20N06S2L65AATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC520N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC520N15NS3 GCT
BSC520N15NS3 GCT-ND
BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.9A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600P6
仓库库存编号:
IPA60R600P6-ND
别名:IPA60R600P6XKSA1
SP001017070
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7503TRPBF
仓库库存编号:
IRF7503TRPBFCT-ND
别名:IRF7503TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEAKMA1-ND
别名:SP001593932
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名:SP001058782
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名:SP001313874
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P6XKSA1-ND
别名:IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI530N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI530N15N3GXKSA1-ND
别名:IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G-ND
SP000807642
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 171W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R065C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R065C7ATMA1-ND
别名:SP001080110
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9953
仓库库存编号:
IRF9953-ND
别名:*IRF9953
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7503TR
仓库库存编号:
IRF7503CT-ND
别名:*IRF7503TR
IRF7503
IRF7503CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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