品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC070N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-ND
BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB083N10N3 G
仓库库存编号:
IPB083N10N3 GCT-ND
别名:IPB083N10N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD082N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD082N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD082N10N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 45A(Tc) 58W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP45P03P4L11AKSA1
仓库库存编号:
IPP45P03P4L11AKSA1-ND
别名:IPP45P03P4L-11
IPP45P03P4L-11-ND
SP000396382
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 37.5W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA086N10N3 G
仓库库存编号:
IPA086N10N3 G-ND
别名:IPA086N10N3G
IPA086N10N3GXKSA1
SP000485984
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 40.5W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA105N15N3 G
仓库库存编号:
IPA105N15N3 G-ND
别名:IPA105N15N3G
IPA105N15N3GXKSA1
SP000677850
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP086N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP086N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP086N10N3 G
IPP086N10N3 G-ND
IPP086N10N3G
SP000680840
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),93A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC042N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03MSGINCT
BSC042N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO051N03MS G
仓库库存编号:
BSO051N03MS GINCT-ND
别名:BSO051N03MS GINCT
BSO051N03MSG
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC014N04LSIATMA1
仓库库存编号:
BSC014N04LSIATMA1CT-ND
别名:BSC014N04LSIATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 83A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB108N15N3 G
仓库库存编号:
IPB108N15N3 GCT-ND
别名:IPB108N15N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI086N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI086N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI086N10N3 G
IPI086N10N3 G-ND
IPI086N10N3G
SP000485982
SP000683070
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 83A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP111N15N3 G
仓库库存编号:
IPP111N15N3 G-ND
别名:IPP111N15N3G
IPP111N15N3GXKSA1
SP000677860
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1-ND
别名:SP001418106
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名:IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 45A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45P03P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPB45P03P4L11ATMA1-ND
别名:SP000396276
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S404ATMA1-ND
别名:SP000952816
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP062NE7N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP062NE7N3GXKSA1-ND
别名:IPP062NE7N3 G
IPP062NE7N3 G-ND
IPP062NE7N3G
SP000819768
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 83A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI111N15N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI111N15N3GAKSA1-ND
别名:IPI111N15N3 G
IPI111N15N3 G-ND
SP000680232
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6.2A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6643TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6643TR1PBFCT-ND
别名:IRF6643TR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD082N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
SP000485986
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 29A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5302DTR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5302DTR2PBFCT-ND
别名:IRFH5302DTR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 45A(Tc) 58W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI45P03P4L11AKSA1
仓库库存编号:
IPI45P03P4L11AKSA1-ND
别名:IPI45P03P4L-11
IPI45P03P4L-11-ND
SP000396310
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC882N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC882N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC882N03MS GCT
BSC882N03MS GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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