品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL3303TRPBF
仓库库存编号:
IRLL3303PBFCT-ND
别名:*IRLL3303TRPBF
IRLL3303PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC076N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC076N06NS3 GCT
BSC076N06NS3 GCT-ND
BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452TRPBF
仓库库存编号:
IRF7452PBFCT-ND
别名:*IRF7452TRPBF
IRF7452PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N04S4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L07ATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L07ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ076N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ076N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ076N06NS3GINCT
BSZ076N06NS3GINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S4L07AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L07AATMA1-ND
别名:SP001061264
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 32A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ013NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSZ013NE2LS5IATMA1-ND
别名:SP001288148
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL3303TR
仓库库存编号:
IRLL3303CT-ND
别名:*IRLL3303TR
IRLL3303CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20D
仓库库存编号:
IRFS17N20D-ND
别名:*IRFS17N20D
SP001557226
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452
仓库库存编号:
IRF7452-ND
别名:*IRF7452
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB17N20D
仓库库存编号:
IRFB17N20D-ND
别名:*IRFB17N20D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20D
仓库库存编号:
IRFSL17N20D-ND
别名:*IRFSL17N20D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452TR
仓库库存编号:
IRF7452TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10P
仓库库存编号:
SPP15P10PIN-ND
别名:SP000014331
SPP15P10PIN
SPP15P10PX
SPP15P10PXTIN
SPP15P10PXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 12A(Ta),68A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6646TR1
仓库库存编号:
IRF6646TR1CT-ND
别名:IRF6646TR1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DPBF
仓库库存编号:
IRFS17N20DPBF-ND
别名:*IRFS17N20DPBF
SP001567586
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20DPBF
仓库库存编号:
IRFSL17N20DPBF-ND
别名:*IRFSL17N20DPBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 86A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6648TR1
仓库库存编号:
IRF6648CT-ND
别名:IRF6648CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 12A(Ta),68A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6646TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6646TR1PBFCT-ND
别名:IRF6646TR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 86A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6648TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6648TR1PBFCT-ND
别名:IRF6648TR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRRP
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRRP-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7452QTRPBFCT-ND
别名:IRF7452QTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRLP-ND
别名:SP001578336
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V,
无铅
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