品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N04LS G
仓库库存编号:
BSC016N04LS GCT-ND
别名:BSC016N04LS GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1404ZPBF
仓库库存编号:
IRF1404ZPBF-ND
别名:*IRF1404ZPBF
IRF1404Z-010PBF
IRF1404Z-010PBF-ND
SP001574476
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 72A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4127TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4127TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4127TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 390W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4332PBF
仓库库存编号:
IRFB4332PBF-ND
别名:SP001556040
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1404ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1404ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1404ZSTRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4127PBF
仓库库存编号:
IRFB4127PBF-ND
别名:SP001560212
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 360W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4332PBF
仓库库存编号:
IRFP4332PBF-ND
别名:SP001578038
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
详细描述:N 沟道 72A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
AUIRFS4127
仓库库存编号:
AUIRFS4127-ND
别名:SP001517544
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 341W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4127PBF
仓库库存编号:
IRFP4127PBF-ND
别名:SP001566148
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC018N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC018N04LS GCT
BSC018N04LS GCT-ND
BSC018N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S203T
仓库库存编号:
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名:SPB100N03S203XTINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1404Z
仓库库存编号:
AUIRF1404Z-ND
别名:SP001520218
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L06ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND
别名:IPB80N06S2L06ATMA2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 200W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
AUIRF1404ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF1404ZSTRLCT-ND
别名:AUIRF1404ZSTRLCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 103A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3610STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3610STRLPBFCT-ND
别名:IRF3610STRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 160A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF1404ZL
仓库库存编号:
AUIRF1404ZL-ND
别名:SP001520886
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 140A(Tc) 330W(Tc) TO-220
型号:
AUIRF3305
仓库库存编号:
AUIRF3305-ND
别名:SP001517888
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
详细描述:N 沟道 200V 72A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
AUIRFS4127TRL
仓库库存编号:
AUIRFS4127TRL-ND
别名:SP001518830
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 72A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4127PBF
仓库库存编号:
IRFSL4127PBF-ND
别名:SP001557538
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 75V 40A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI2807
仓库库存编号:
IRFI2807-ND
别名:*IRFI2807
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2-03IN-ND
别名:SPP100N03S2-03IN
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03
仓库库存编号:
SPB100N03S203INTR-ND
别名:SPB100N03S203INTR
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1404ZSTRL
仓库库存编号:
IRF1404ZSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1404ZSTRR
仓库库存编号:
IRF1404ZSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) TO-262
型号:
64-2042
仓库库存编号:
64-2042-ND
别名:*IRF1404ZL
IRF1404ZL
IRF1404ZL-ND
SP001518170
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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