品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N06LS3 G
仓库库存编号:
BSZ100N06LS3GINCT-ND
别名:BSZ100N06LS3GINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3504ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3504ZPBFCT-ND
别名:*IRFR3504ZTRPBF
IRFR3504ZPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S308
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ0901NS
仓库库存编号:
BSZ0901NSCT-ND
别名:BSZ0901NSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO247
型号:
IPW65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080128
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R199CP
仓库库存编号:
IPA50R199CP-ND
别名:IPA50R199CPXKSA1
SP000236081
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R280E6
仓库库存编号:
IPW65R280E6-ND
别名:IPW65R280E6FKSA1
SP000795272
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R199CPXKSA1-ND
别名:IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ120P03NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DYTRPBF
仓库库存编号:
SI4410DYPBFCT-ND
别名:*SI4410DYTRPBF
SI4410DYPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.1A(Tc) 208W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R250E6XTMA1
仓库库存编号:
IPD65R250E6XTMA1CT-ND
别名:IPD65R250E6XTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 17A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R199CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R199CPXKSA1-ND
别名:IPI50R199CP
IPI50R199CP-ND
SP000523756
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:N 沟道 8A(Ta) 33W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R650CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R650CEXKSA2-ND
别名:SP001313394
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA65R280E6
仓库库存编号:
IPA65R280E6-ND
别名:IPA65R280E6XKSA1
SP000795276
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR24N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR24N15DTRPBFCT-ND
别名:IRFR24N15DTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001658390
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 117W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001647032
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 117W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001647038
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ120P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSZ120P03NS3EGATMA1TR-ND
别名:BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
SP000709730
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S52R8ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S52R8ATMA1-ND
别名:SP001418102
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta) 2.5W(Ta),41W(Tc) DIRECTFET? SC
型号:
AUIRF7732S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7732S2TR-ND
别名:SP001519174
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13.1A(Tc) 104W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R310E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R310E6AUMA1-ND
别名:SP000895216
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R280E6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R280E6ATMA1-ND
别名:SP000795274
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R280C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R280C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R280C6CT
IPB65R280C6CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R280E6
仓库库存编号:
IPP65R280E6-ND
别名:IPP65R280E6XKSA1
SP000795268
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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