品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4227PBF
仓库库存编号:
IRFB4227PBF-ND
别名:SP001565892
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9321TRPBF
仓库库存编号:
IRF9321TRPBFCT-ND
别名:IRF9321TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP040N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP040N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta). 100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC025N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC025N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03MSGINCT
BSC025N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPD038N06N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 4.3W(Ta),94W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
AUIRFN8403TR
仓库库存编号:
AUIRFN8403CT-ND
别名:AUIRFN8403CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 62A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4227TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4227TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4227TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 330W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4227PBF
仓库库存编号:
IRFP4227PBF-ND
别名:SP001560510
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI040N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI040N06N3GXKSA1-ND
别名:SP000680656
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB037N06N3 G
仓库库存编号:
IPB037N06N3 GCT-ND
别名:IPB037N06N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N10S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N10S4L06ATMA1-ND
别名:SP000866562
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 62A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4227PBF
仓库库存编号:
IRFSL4227PBF-ND
别名:SP001576148
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI040N06N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI040N06N3GHKSA1-ND
别名:IPI040N06N3 G
IPI040N06N3 G-ND
SP000398038
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 17A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5007TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5007TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5007TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),250W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5010TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5010TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5010TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 85A(Tc) 78W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7446TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7446TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7446TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 98nC @ 10V,
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