品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024NPBFCT-ND
别名:*IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024NPBF
仓库库存编号:
IRFU9024NPBF-ND
别名:*IRFU9024NPBF
SP001557756
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z24NPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NPBF-ND
别名:*IRF9Z24NPBF
SP001555934
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380P6ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03LSCGATMA1
仓库库存编号:
BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
别名:BSC079N03LSCGATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S2L20ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4315TRPBFCT-ND
别名:IRFL4315TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z24NSTRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R380P6ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP17N25S3100AKSA1
仓库库存编号:
IPP17N25S3100AKSA1-ND
别名:SP001025116
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R380P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R380P6XKSA1-ND
别名:SP001017072
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R380P6XKSA1-ND
别名:SP001017058
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024NTRL
仓库库存编号:
AUIRFR9024NTRL-ND
别名:SP001518586
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB17N25S3100ATMA1
仓库库存编号:
IPB17N25S3100ATMA1-ND
别名:SP000876560
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NS
仓库库存编号:
IRF9Z24NS-ND
别名:*IRF9Z24NS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024N
仓库库存编号:
IRFU9024N-ND
别名:*IRFU9024N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z24NL
仓库库存编号:
IRF9Z24NL-ND
别名:*IRF9Z24NL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRL
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 9.5A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9Z24N
仓库库存编号:
IRFI9Z24N-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRL
仓库库存编号:
IRFR9024NTRL-ND
别名:SP001565084
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRR
仓库库存编号:
IRFR9024NTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315
仓库库存编号:
IRFL4315-ND
别名:*IRFL4315
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名:SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z24NLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NLPBF-ND
别名:*IRF9Z24NLPBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 19nC @ 10V,
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