品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6217TRPBF
仓库库存编号:
IRF6217TRPBFCT-ND
别名:IRF6217TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P7XKSA1-ND
别名:SP001606032
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN60R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN60R600P7SATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R2K0P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7SAUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 24W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K0P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 24W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K0P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K0P7AKMA1-ND
别名:SP001634912
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 24W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R2K0P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R2K0P7AKMA1-ND
别名:SP001634926
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001658294
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001618082
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7XKSA1-ND
别名:SP001618084
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N50C3
仓库库存编号:
SPD02N50C3INTR-ND
别名:SP000014476
SPD02N50C3INTR
SPD02N50C3XT
SPD02N50C3XT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 44W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD64CN10N G
仓库库存编号:
IPD64CN10N G-ND
别名:SP000104810
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 44W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU64CN10N G
仓库库存编号:
IPU64CN10N G-ND
别名:SP000209097
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 10V,
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