品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7488TRPBF
仓库库存编号:
IRF7488TRPBFCT-ND
别名:IRF7488TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7403TRPBF
仓库库存编号:
IRF7403PBFCT-ND
别名:*IRF7403TRPBF
IRF7403PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC009NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND
别名:BSC009NE2LS5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 300V 19A TO262
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 210W(Tc) TO-262-3
型号:
AUIRFSL6535
仓库库存编号:
AUIRFSL6535-ND
别名:SP001522854
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S222ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S222ATMA1TR-ND
别名:IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22-ND
SP000252169
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 19A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS6535
仓库库存编号:
AUIRFS6535-ND
别名:SP001516136
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 19A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS6535TRL
仓库库存编号:
AUIRFS6535TRLTR-ND
别名:AUIRFS6535TRLTR
SP001521690
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7403TR
仓库库存编号:
IRF7403TR-ND
别名:Q829130
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI45N06S3-16
仓库库存编号:
IPI45N06S3-16IN-ND
别名:IPI45N06S3-16-ND
IPI45N06S3-16IN
IPI45N06S316X
IPI45N06S316XK
SP000102217
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP45N06S3-16
仓库库存编号:
IPP45N06S3-16IN-ND
别名:IPP45N06S3-16-ND
IPP45N06S3-16IN
IPP45N06S316X
IPP45N06S316XK
SP000102218
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2-22
仓库库存编号:
SPD30N08S2-22-ND
别名:SP000013153
SPD30N08S222T
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S3-16
仓库库存编号:
IPB45N06S3-16INCT-ND
别名:IPB45N06S3-16INCT
IPB45N06S316
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 57nC @ 10V,
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