品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRPBF
仓库库存编号:
IRFR5305PBFCT-ND
别名:*IRFR5305TRPBF
IRFR5305PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5305STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5305STRLPBFCT-ND
别名:IRF5305STRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 94W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44NPBF
仓库库存编号:
IRFZ44NPBF-ND
别名:*IRFZ44NPBF
94-4305PBF
94-4305PBF-ND
SP001565354
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 31A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF5305PBF
仓库库存编号:
IRF5305PBF-ND
别名:*IRF5305PBF
94-4306PBF
94-4306PBF-ND
SP001564354
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),100A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC046N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC046N10NS3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R190C6
仓库库存编号:
IPA60R190C6-ND
别名:IPA60R190C6XKSA1
SP000621152
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF540ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF540ZSTRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5305TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5305TRLCT-ND
别名:AUIRFR5305TRLCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ44NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ44NSTRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5305PBF
仓库库存编号:
IRFU5305PBF-ND
别名:*IRFU5305PBF
SP001550274
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ44NLPBF-ND
别名:*IRFZ44NLPBF
SP001557836
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R190C6
仓库库存编号:
IPW60R190C6-ND
别名:IPW60R190C6FKSA1
SP000621160
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 92W(Tc) TO-262
型号:
IRF540ZLPBF
仓库库存编号:
IRF540ZLPBF-ND
别名:*IRF540ZLPBF
SP001559652
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP15N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP15N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681050
SPP15N60C3
SPP15N60C3-ND
SPP15N60C3IN
SPP15N60C3IN-ND
SPP15N60C3X
SPP15N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R190E6
仓库库存编号:
IPW60R190E6-ND
别名:IPW60R190E6FKSA1
SP000797384
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW15N60C3
仓库库存编号:
SPW15N60C3IN-ND
别名:SP000014530
SPW15N60C3-ND
SPW15N60C3FKSA1
SPW15N60C3IN
SPW15N60C3X
SPW15N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA15N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216325
SPA15N60C3
SPA15N60C3IN
SPA15N60C3IN-ND
SPA15N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R190C6
仓库库存编号:
IPB60R190C6INCT-ND
别名:IPB60R190C6INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R190C6
仓库库存编号:
IPP60R190C6-ND
别名:IPP60R190C6XKSA1
SP000621158
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 92W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF540Z
仓库库存编号:
AUIRF540Z-ND
别名:SP001516500
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R190E6XKSA1-ND
别名:IPA60R190E6
IPA60R190E6-ND
SP000797380
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 31A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 94W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFZ44N
仓库库存编号:
AUIRFZ44N-ND
别名:SP001519708
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 92W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540ZPBF
仓库库存编号:
IRF540ZPBF-ND
别名:*IRF540ZPBF
SP001561896
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R190E6
仓库库存编号:
IPP60R190E6-ND
别名:IPP60R190E6XKSA1
SP000797378
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8401TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFR8401TRL-ND
别名:IFAUIRFR8401TRL
SP001520504
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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