品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R150CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R150CFDXKSA1-ND
别名:SP000907024
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP200N25N3 G
仓库库存编号:
IPP200N25N3 G-ND
别名:IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010EZSTRLP
仓库库存编号:
IRF1010EZSTRLPCT-ND
别名:IRF1010EZSTRLPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 22.4A(Tc) 34.7W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R150CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R150CFDXKSA1-ND
别名:SP000907026
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 61A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 61A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP220N25NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP220N25NFDAKSA1-ND
别名:SP001108126
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R150CFDATMA1
仓库库存编号:
IPB65R150CFDATMA1CT-ND
别名:IPB65R150CFDATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N25N3 G
仓库库存编号:
IPB200N25N3 GCT-ND
别名:IPB200N25N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1010EZPBF
仓库库存编号:
IRF1010EZPBF-ND
别名:*IRF1010EZPBF
SP001571244
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N20DPBF-ND
别名:*IRFB23N20DPBF
SP001564048
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N20DTRLPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1010EZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF1010EZSTRL-ND
别名:SP001520896
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R165CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R165CFDAUMA1-ND
别名:SP000949254
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI65R150CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R150CFDXKSA1-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R150CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R150CFDAATMA1-ND
别名:SP000928270
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R150CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R150CFDFKSA1-ND
别名:SP000907038
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R150CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R150CFDAAKSA1-ND
别名:SP000928272
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R150CFDAFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R150CFDAFKSA1-ND
别名:SP000928274
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 250V 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI200N25N3 G
仓库库存编号:
IPI200N25N3 G-ND
别名:IPI200N25N3G
IPI200N25N3GAKSA1
SP000714308
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20D
仓库库存编号:
IRFS23N20D-ND
别名:*IRFS23N20D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20D
仓库库存编号:
IRFB23N20D-ND
别名:*IRFB23N20D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D
仓库库存编号:
IRFSL23N20D-ND
别名:*IRFSL23N20D
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EZL
仓库库存编号:
IRF1010EZL-ND
别名:*IRF1010EZL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010EZS
仓库库存编号:
IRF1010EZS-ND
别名:*IRF1010EZS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1010EZ
仓库库存编号:
IRF1010EZ-ND
别名:*IRF1010EZ
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EZLPBF
仓库库存编号:
IRF1010EZLPBF-ND
别名:*IRF1010EZLPBF
SP001574512
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 86nC @ 10V,
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