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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4435DYTRPBF
  仓库库存编号：SI4435DYPBFCT-ND
  别名：*SI4435DYTRPBF
  SI4435DYPBFCT
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB11N60C3
  仓库库存编号：SPB11N60C3INCT-ND
  别名：SPB11N60C3INCT
  SPB11N60C3XTINCT
  SPB11N60C3XTINCT-ND
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 91W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR48ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFR48ZTRLPBFCT-ND
  别名：IRFR48ZTRLPBFCT
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44EPBF
  仓库库存编号：IRFZ44EPBF-ND
  别名：*IRFZ44EPBF
  SP001557776
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW11N60C3
  仓库库存编号：SPW11N60C3IN-ND
  别名：SP000013728
  SPW11N60C3-ND
  SPW11N60C3FKSA1
  SPW11N60C3IN
  SPW11N60C3X
  SPW11N60C3XK
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA11N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA11N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000216318
  SPA11N65C3
  SPA11N65C3IN
  SPA11N65C3IN-ND
  SPA11N65C3XK
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90N04S4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N04S4L04ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N04S4L04ATMA1CT
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA08N80C3
  仓库库存编号：SPA08N80C3IN-ND
  别名：SP000216310
  SPA08N80C3IN
  SPA08N80C3X
  SPA08N80C3XK
  SPA08N80C3XKSA1
  SPA08N80C3XTIN
  SPA08N80C3XTIN-ND
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08N80C3
  仓库库存编号：SPP08N80C3IN-ND
  别名：SP000013704
  SP000683156
  SPP08N80C3IN
  SPP08N80C3X
  SPP08N80C3XK
  SPP08N80C3XKSA1
  SPP08N80C3XTIN
  SPP08N80C3XTIN-ND
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：SPA11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA11N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000216312
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S212AKSA2
  仓库库存编号：IPP77N06S212AKSA2-ND
  别名：SP001061292
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44ESTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44ESTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ44ESTRLPBFCT
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681040
  SPP11N60C3
  SPP11N60C3BKSA1
  SPP11N60C3IN
  SPP11N60C3IN-ND
  SPP11N60C3X
  SPP11N60C3XIN
  SPP11N60C3XIN-ND
  SPP11N60C3XK
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI08N80C3
  仓库库存编号：SPI08N80C3IN-ND
  别名：SP000014819
  SP000683148
  SPI08N80C3-ND
  SPI08N80C3IN
  SPI08N80C3X
  SPI08N80C3XK
  SPI08N80C3XKSA1
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N04S4L-04
  IPB80N04S4L-04-ND
  SP000646180
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N04S4L04AKSA1-ND
  别名：IPP80N04S4L-04
  IPP80N04S4L-04-ND
  SP000646198
  
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  MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S212ATMA2
  仓库库存编号：IPB77N06S212ATMA2-ND
  别名：SP001061294
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N04S4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N04S4L04AKSA1-ND
  别名：IPI80N04S4L-04
  IPI80N04S4L-04-ND
  SP000646192
  
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  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N04S3H4ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N04S3-H4
  IPD90N04S3-H4-ND
  SP000415584
  
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  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR48ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFR48ZTRL-ND
  别名：SP001520288
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S3H4ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N04S3-H4
  IPB80N04S3-H4-ND
  SP000415564
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N04S3H4AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N04S3H4AKSA1-ND
  别名：IPI80N04S3-H4
  IPI80N04S3-H4-ND
  SP000415630
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S3H4AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N04S3H4AKSA1-ND
  别名：IPP80N04S3-H4
  IPP80N04S3-H4-ND
  SP000415702
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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  MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 50A 50W Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：AUIRFN8459TR
  仓库库存编号：AUIRFN8459TR-ND
  别名：SP001517406
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI11N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI11N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000680994
  SPI11N65C3
  SPI11N65C3-ND
  SPI11N65C3IN
  SPI11N65C3IN-ND
  SPI11N65C3X
  SPI11N65C3XK
  
  品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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